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Artículos Técnicos

Los defectos de las obleas no pueden esconderse de Park Systems

Obtener información de calidad sobre los defectos en obleas de semiconductores tiene una importancia capital para los fabricantes. Estos defectos pueden identificarse rápidamente con técnicas de dispersión de luz láser, pero luego hay que revisarlos, para lo cual existen dos métodos diferentes: la microscopía de barrido electrónico (SEM) y la microscopía de fuerza atómica (AFM).

La AFM presenta muchas ventajas respecto a la SEM, puesto que —a diferencia de esta— proporciona imágenes de en 3D de alta resolución y mapas topográficos detallados, permitiendo caracterizar los defectos (tamaño, profundidad, etc.) con una precisión única. Además, los haces de electrones de la SEM tienen el potencial de «quemar» el área explorada, mientras que la AFM de Park (que se realiza sin contacto entre el microscopio y la muestra) asegura que la superficie de la oblea no sufre alteración alguna. Sin embargo, la AFM convencional es más lenta y complicada que la SEM: se necesitan grandes esfuerzos por parte de un operario altamente cualificado para revisar unos pocos defectos al día.

Pero esto ya no es un problema gracias a la revisión automática de defectos con AFM (ADR AFM) de Park Systems. La compañía ya había aplicado la ADR AFM a la exploración de discos duros y ahora la ha introducido en la revisión de defectos en obleas de silicio de hasta 300 mm. La ADR AFM de Park permite tomar imágenes de entre cuatro y diez defectos por hora y cualquier técnico puede llevarla a cabo, sin tener que estar presente constantemente. Esto puede hacer que la productividad aumente hasta en un 1000%.

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